下面艾特贸易小编介绍瑞士ABB公司5SHY351L4502器件的通断特性和在关断状态下的典型参数。
1．通态特性
SSHY35L4502中的GCT在给定的阻断电压范围内(<4.5kV)的通态压降较低。它具有晶闸结构的通态特性。与传统的GTO比较，由于使用了浅层阳极技术，IGCT的通态门极电流亦减少到原来值的1/10左右。
2．关断特性
由于具有均匀的开关模式，IGCT的关断能力大大提高，表1-10给出了SSHY35L4502器件在关断状态时对应的关断损耗的典型值。
表1-10 关断功率和关断损耗典型值
图1-27为5kA以下，吸收电容为4μF，吸收电感大于200nH时IGCT的关断波形。缓冲层设计的特点在图中清晰可见，即尾部电流大，且持续时间短。采用不同的辐照工艺可减少尾部电流，进而降低关断损耗，但通态压降也略有提高。
图1-28给出了在CG= 0μF以及不同的电子辐照水平下，缓冲层工艺的通态压降和关断损耗的关系曲线。由图1-28可见，在3kA，125℃下的导通状态，对于电流密度为70A/cm²的器件来说，电子辐照可使关断损耗降低50%，但通态电压仅增至3V，因此，SSHY35L4502器件能够在低通态/低频到高通态/高频的很宽范围内应用于工业传动或牵引系统中。
图1-27 5SHY35L4502在5kA时的关断波形
图1-28 通态压降与关断损耗的关系曲线
